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請問(wèn)什么是1/f噪聲?

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看介紹零中頻接收機的文章里提到1/f噪聲,請教一下什么是1/f噪聲

就是幅度跟頻率的倒數成正比的噪聲

幅度平方...

能說(shuō)說(shuō)是怎么產(chǎn)生的?(為什么在零中頻接收機里才會(huì )是問(wèn)題呢),對接收機性能有何
不良影響?謝謝。

1/f噪聲靠近零頻也就是DC,功率譜以1/f分布,離DC越遠越小,一般是有個(gè)corner,corner以外1/f噪聲小于white noise。

1/f噪聲是cmos器件中的,傳統的bipolar沒(méi)這個(gè)問(wèn)題
這種噪聲的來(lái)源據thomas lee的書(shū)上說(shuō)還不是特別清楚
只是知道它跟頻率成反比,也就是說(shuō)頻率越低,噪聲越大
零中頻把信號從射頻直接搬到zero-IF
信號帶寬內的1/f噪聲就比傳統超外差或者低中頻要嚴重了

這樣說(shuō)的話(huà)也就是說(shuō)1/f噪聲不是由于零中頻體制本身引起的,是由于器件工藝引起的,
通過(guò)選用其它工藝的器件是不是可以消除 1/f噪聲呢?。

flicker noise的產(chǎn)生原因目前還不是很確認,但是普遍認為的觀(guān)點(diǎn)是和晶體管表面的缺陷有關(guān),對于bipolar這種載流子不在晶體管表面工作的工藝來(lái)說(shuō)flicker noise要小很多。
不過(guò)現在CMOS工藝在成本上的優(yōu)勢實(shí)在太大了,基本上現在消費電子用的射頻收發(fā)機都是用CMOS工藝設計的

補充前面幾位師兄說(shuō)的:
1/f噪聲又稱(chēng)閃爍噪聲(flicker noise),其產(chǎn)生的物理機制至今仍然不明確,通常認為和晶體管工作機制有關(guān),比如FET器件的表面缺陷和態(tài)密度、俘獲效應等等,其噪聲功率譜密度(PSD)與頻率f成反比,當f趨于0(DC)時(shí)PSD趨于無(wú)限大;當f大于拐角頻率時(shí),其PSD小于白噪聲的PSD(事實(shí)上拐角頻率就是這樣定義的)。
Bipolar器件一般都不是平面器件,所以1/f噪聲性能會(huì )好得多,比如HBT器件。
除了你所說(shuō)的零中頻會(huì )受到1/f噪聲影響,VCO之類(lèi)的相位噪聲也會(huì )受到1/f噪聲影響。

這個(gè)0頻時(shí)趨于無(wú)限大該怎么理解?現實(shí)中肯定不會(huì )有無(wú)限大情況。是否理解為一定強度
的直流呢?

前面幾位側重的都是器件級的1/f噪聲,系統上看趨近與0頻的噪聲產(chǎn)生的機理更復雜一些吧
直觀(guān)的講就是世界上沒(méi)有長(cháng)期絕對穩定的系統
至于1/f噪聲在0頻時(shí)是否真的趨于無(wú)限大應該沒(méi)有辦法測試的,就和白噪聲是否真的很白是一樣的道理,都是在一定頻率范圍的近似(深究下去貌似就是哲學(xué)問(wèn)題了)

re,雙極型器件的表現一般是1/f噪聲轉角低一些。
場(chǎng)效應的能到幾兆,雙極的一般到在K到百K的樣子。

難道系統級的1/f噪聲不是各級器件1/f噪聲的疊加?不理解怎么得出“沒(méi)有絕對穩定系
統”的結論的。另外,如何評價(jià)1/f噪聲對接收機信噪比惡化的影響?比如說(shuō),給定一個(gè)
零中頻系統設計,1/f噪聲會(huì )使系統的噪聲系數比惡化多少dB,有沒(méi)有公式可以計算或有
沒(méi)有方法可以測試?

在f->0(也就是T->inf)的時(shí)候噪聲既然無(wú)窮大
所以說(shuō)時(shí)間足夠長(cháng)的話(huà),就沒(méi)有絕對穩定的系統了

關(guān)于1/f噪聲,很多器件指標中并沒(méi)有描述。比如某放大器,器件指標中會(huì )給出噪聲系數
(用于描述白噪聲的),通過(guò)噪聲系數級聯(lián)公式就可算出系統的噪聲系數。但1/f好像就
不能這樣算出,是不是只能做好系統后實(shí)際測試corner位置。
另外,你給出的這個(gè)公式好像和樓上說(shuō)的1/f噪聲在零頻為無(wú)窮大并不一致。

1/f noise為啥不能這么算噪聲系數?一樣的算法啊

我是說(shuō)器件手冊沒(méi)有給1/f噪聲的噪聲系數。

好像一般是沒(méi)有,你可以試著(zhù)用高靈敏度的放大器配合DSA大致的測一下

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